台积电 14 日线上法说会强调，目前 3 奈米 N3 制程依照进度进行，N3 制程方面，以高效能运算及智能手机应用有较多客户投入。至于试产时间，计划 N3 制程将在 2021 年试产，并预计在 2022 下半年量产，这相较于先前规划的 2023 年量产时间足足提前一年。
台积电指出，N3 是继台积电 5 奈米的 N5 制程之后，又一个全节点的新技术，相较于 N5，可提高 70% 的逻辑密度，效能提升 15%，功耗降低 30%。N3 使用 FinFET 架构来提供最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本。而 N3 按照计划开发且进度良好，相较于 N5及 N7 同期，我们看到目前 N3 在高效能运算及智能手机应用都有较多客户投入。N3 试产时间计划在 2021 年，并预计在 2022 下半年量产。届时台积电的 N3 技术将在 PPA （效能、功耗及面积） 及晶体管技术上，都将会是业界最先进的技术。因此有信心台积电的 3 奈米技术会成为另一重要且持久的技术。
针对先进封装技术的发展，台积电表示，目前已开发出领先业界并完备的晶圆级 3D IC 技术蓝图以提升系统级效能。而具差异性的小芯片（chiplet）及异质整合技术能带来更好的功耗及其更小的尺寸以协助台积电的客户，同时缩短客户产品上市时程。这些技术包含芯片堆叠解决方案如 SoIC，及先进封装解决方案如 InFO 和 CoWoS。
此外，也发现小芯片已成为产业趋势。因此，台积电也正与几位客户在 3DFabric 技术系列上合作，以支持小芯片架构。台积电计划 SoIC 将在 2022 年小量量产，由于高效能运算在带宽效能、功耗表现及尺寸极为要求，预期将率先应用于高效能运算相关应用。在此情况下，预期来自后段封装技术（包含先进封装及测试）接下来几年，成长将稍微超过公司的整体平均。
针对 2021 年大幅提高资本支出一事，台积电说明，台积电长期资本密集度约落在 30%~40%，但当要进入成长幅度更高的区间，必须先投入资本支出，业绩才会随之成长，在这样的情况下，资本密集度会更高。2010~2014 年间，资本支出相较前几年增加 3 倍，当时台积电的资本密集度约为 38%~0，也因此，台积电得以把握成长的机会，并在 2010~2015 年可有 15% 年复合成长率。
如今台积电进入另一个高成长区间，因此认为较高资本密集度在目前这阶段是适切的，并可以帮助台积电掌握未来成长的机会。尤其预期因 5G 及HPC 相关应用的产业大趋势，将在未来几年将为台积电带来更高的年复合成长率。而当先进制程资本支出因制程复杂度而持续增加时，预期透过持续强调台积电的价值 （包含技术、服务、品质，产能支援以及致力成本优化），能得到相对应的报酬。此外，台积电也重申将维持每年／每季稳定且可持续的现金股利的承诺不变。
（首图来源：台积电）
