随着半导体市场需求的成长，晶圆代工龙头台积电宣布 2021 年将提高资本支出到 250 亿美元至 280 亿美元之后，竞争对手韩国三星也不遑多让，预计 2021 年针对半导体事业的资本支出较 2020 年增加 20%，金额达 35 兆韩圜（约 296 亿美元），将分别投资于内存与晶圆代工等相关事业。
根据韩国媒体《ETnews》报导，三星即将于 2021 年开始规模达 35 兆韩圜的投资计划，包括投资中国西安及韩国平泽等地生产线，投资项目不仅 DRAM 与 NAND Flash 等内存项目，还将包括晶圆代工业务的部分。除此之外，三星方面也会积极投资相关供应链发展，如相关的半导体材料、零组件，或者是设备的相关公司。
报导强调，三星的 35 兆韩圜投资计划，其中 24 兆韩圜将用于内存事业，另外的 11 兆韩圜则将用于晶圆代工业务。而这些项目将集中在中国西安及韩国平泽的第 2 工厂，且目前已经开始积极准备。例如，三星日前已经对韩国境内半导体设备商分别下订 1,170 亿及 276 亿韩圜金额的设备，这些设备预计将在 2021 年 6 到 7 月份交货，届时将安装在中国西安的第 2 工厂中，用以生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND。另外，针对新一代 DDR5 内存生产，三星日前也已经下订 345 亿韩圜的检测设备。
韩国市场人士表示，因为 DRAM 与 NAND Flash 等内存项目是三星主要的营收来源，期望借由增加投资让中国西安及韩国平泽第2工厂的空间能获的充分的运用，以达到扩产增加营收的目标。市场人士表示，三星预计把两个地区第 2 工厂的空间填满，这将使的中国西安增加月产能达 5.5 万片，而韩国平泽则将每月增加 DRAM 3 万到 6 万片的产能，NAND Flash 每月增加 1.8 万到 3 万片的产能。
报导进一步指出，目前三星的投资计划可能因为市场的状况而有所变化。不过，因为武汉肺炎疫情的影响，使得智能手机与汽车电子在当前快速复苏而造成市场需求大增，三星积极增加投资将是必然的趋势，藉以应付未来市场成长时的需求。不过，针对先前媒体报导，三星预计斥资 100 亿美元在美国德州奥斯汀兴建晶圆厂一事，目前的进展可能赶不上当前市场的需求。原因在于即使目前已经加快相关兴建的计划脚步，但当前仍处在基础设施规划的状态。因此，要整体完成晶圆厂的兴建还需要 2~3 年的时间，使得短期间内无法对三星的营运有所挹注。
（首图来源：Flickr/DennisM2 CC BY 2.0）
