据《日经新闻》报导，日本内存大厂铠侠（Kioxia）开发约 170 层堆叠 NAND Flash，加入了与美国产业竞争对手美光（Micron）和韩国 SK Hynix 的竞赛。
根据报导指出，铠侠新的 NAND Flash 内存是与美国合作伙伴威腾电子（Western Digital）共同开发，写入数据的速度是铠侠当前最高阶产品（112 层堆叠）2 倍以上。铠侠指出，希望能够借助这些产品，满足资料中心和智能手机相关的需求，因 5G 通讯兴起，带来更大且更快数据传输，也造成更大容量的内存需求。但原本该领域的竞争已经加剧，包括美光和 SK Hynix 在铠侠之前就宣布开发出 176 层堆叠 NAND Flash。
报导强调，原名东芝内存的铠侠，计划于正进行的国际固态电路大会，正式宣布推出新款 NAND Flash，并预计最快 2022 年量产。铠侠表示，目前已成功透过新 NAND Flash 每层整合更多存储单元，代表与相同容量的内存相比，可使芯片面积缩小 30% 以上。较小芯片将使智能手机、服务器和其他相关产品架构设计有更大弹性。
为了提高 NAND Flash 的产量，铠侠与威腾电子计划 2021 年春季，于日本的四日市开始建设 1 兆日圆（约 94.5 亿美元）新工厂扩产，且预定 2022 年生产第一批产品。目前铠侠在日本北部现有 Kitakami 工厂旁正积极收购土地，预计用于扩大产能。
（首图来源：铠侠）
