据韩国媒体报导，处于领先位置的韩国内存业务，因竞争对手美光（Micron）全力追赶，面临严重的市场挑战。
韩国媒体《BusinessKorea》报导指出，全球第五大 NAND Flash 供应厂商美光，逐步展示先进技术的研发实力，除了 2020 年 11 月供货 176 层堆叠的 NAND Flash 产品，还在 2021 年 1 月量产第 4 代 10 奈米级 DRAM，这些产品目前都还是韩国厂商三星或 SK 海力士无法量产的产品。
报导指出，尽管三星及 SK 海力士目前全球 DRAM 市场总计 71% 市占率，NAND Flash 市场也有合计 45% 市占率，但两家公司连续失去相关产品全球新技术首发纪录，反映技术发展面临竞争对手的严峻挑战。1~2 年前，三星内存技术至少还领先美光约 2 年。
三星 2018 年 7 月量产 96 层堆叠 V-NAND Flash，且 SK 海力士 2019 年 6 月首次量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash 时，美光到 2020 年第 2 季才量产 128 层堆叠 NAND Flash。甚至三星还保持从第 1 代到第 3 代 10 奈米级 DRAM 全球首发纪录。不过美光陆续取得两项产品领先后，韩国市场人士开始担忧，韩国内存产业市场领先优势还能维持多久。
报导强调，技术差距缩小的原因，在于内存制程技术几乎达到极限，领先者要进步会比追赶者困难。三星已投资数兆韩圜，且花费很长时间开发新技术。但追赶者却可参考三星技术发展，减少研发成本投资与时间。韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业成本级设备投资有竞争力，但也被竞争对手逐渐追上。2019 年美光营业利益率为 19.5%，虽低于三星 21.6%，却领先 SK 海力士 10.1%。即使三星与 SK 海力士努力提高，三星 2020 年营业利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士 15.7% 营业利益率仍与美光 15.2% 表现相差无几。
除了以营业利益率衡量各企业竞争力，更令韩国业界担心的是，目前欧美全力发展半导体制造业，祭出不少重点发展厂商补助计划。美光内存一直被视为重要战略科技产品，美国-将提供美光更优惠的补助措施。据韩国工业联合会 2020 年 6 月报告显示，相较中国中芯国际 2014~2018 年的-补助金额，占总销金额 6.6%，美国-的美光补助也占总销金额 3.3%。反观韩国三星和 SK 海力士，韩国-补助仅 0.8% 和 0.5%，使竞争对手更有实力投资技术研发，也使韩国企业面临更大压力。
（首图来源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0）
