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技术碾压全球,ASML表示已经向1nm光刻机进发

2024-11-28 211

近期,ASML 产品营销总监 Mike Lercel 向外界分享了 EUV(极紫外)光刻机的最新进展。

据了解,目前 ASML 的主力出货 EUV 光刻机分别是 NXE:3400B 和 3400C 两款。目前这两款机型的数值孔径(NA)均为0.33,其中更新一款的 3400C 的可用性已经达到 90% 左右。

根据 ASML 的猜测,到今年年底,NXE:3600D 将会开始进行交付。该设备的匹配套精准度提升了,在 30mJ/cm2 下的晶圆通量达到 160片,相比 3400C 提高18%,将会成为未来台积电和 Samsung 3nm工艺最为主要的设备。

除此之外,ASML 还公布了未来的三代光刻机研发计划,了解到三款机型的型号分别是NEXT、EXE:5000 和 EXE:5200。制作工艺从 EXE:5000 为节点,将数值孔径提高到0.55。

0.55NA 比 0.33NA 有着巨大的提升,包括更高的对比度,图像曝光成本更低等等,是未来发展的趋势。

由于目前硅片、曝光洁净室已经逼近物理极限,现在的 5nm/7nm 光刻机变得十分精密,设备零件多达10万+零件、体积为 40个货柜。据悉 1nm 的光刻机体积要比现在 3nm 的多出一倍,简直难以想像。

由于光刻机拥有非常多的零件,需要高精度的装配,导致光刻机从发货到配置/培训的整个流程需要长达两年时间。按照这个来参考推算,预计0.55NA 的大规模应用得到2025~2026年了。

2021-03-20 12:01:00

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