三星（Samsung）今日宣布，推出业界首个基于 High-K Metal Gate（HKMG）制程的 512GB DDR5 模组，以扩展 DDR5 DRAM 产品组合。据悉，基于 HKMG 制程的 DDR5，其性能是 DDR4 两倍以上，且速度高达 7,200 Mbps，得以满足超级运算、人工智能、机器学习等庞大运算需求。
三星指出，随着行通装置、储存和运算处理的数据量成指数成长，内存朝 DDR5 发展是云端数据中心、网络和边缘部署的关键趋势。而采用 HKMG 制程的 DDR5，将可为这些业者提供高效能的解决方案，满足金融市场、自动驾驶、智慧城市、医学研究，以及其他领域的运算需求。
据悉，三星新推出的 DDR5 采用 HKMG 制程技术，而 HKMG 技术于 2018 年首次在三星的 GDDR6 采用。三星表示，随着 DRAM 结构不断缩小，绝缘层变薄，也使得电流更容易泄露；而采用 HKMG 技术，将可以减少电流泄露并进一步提高内存性能。
三星进一步说明，新推出的 DDR5 内存和之前产品相比，功耗降低约 13%，且透过硅穿孔（TSV）技术，新推出的 DDR5 得以堆叠八层 16Gb DRAM 芯片片，以实现最大的 512GB 容量。TSV 技术首次用于 DRAM 产品上是在 2014 年，当时三星推出了储存容量为 256GB 的服务器模组。
- Samsung Develops Industry’s First HKMG-Based DDR5 Memory; Ideal for Bandwidth-Intensive Advanced Computing Applications
（首图来源：三星）
