日前三星联合硅智财企业新思科技（Synopsys）开心宣布，新一代 3 奈米 GAA 制程技术流片成功，是全球业界第一个 GAA 架构芯片流片成功，对竞争领域意义重大。有国外分析师指出，即便三星 3 奈米 GAA 制程技术流片成功，却没有透露 3 奈米 GAA 制程技术何时量产，为三星能否超越台积电的关键。
外媒引用市场分析师报告指出，虽然三星 3 奈米 GAA 制程技术流片成功，但据三星客户行动处理器大厂高通（Qualcomm）高层先前说法，认为三星 3 奈米 GAA 制程技术最快 2023 年才有产品问世。比较可能达成的时间还落在 4 年，表示三星 3 奈米 GAA 制程技术芯片最快还要 2~3 年才会问世。
三星早在 2019 年就公布 3 奈米 GAA 制程技术 PDK。当时表示 3 奈米 GAA 制程技术会在 2020 年底试产，2021 年量产。现在看一共跳票 3 年，显示三星当时太乐观。
不过就好方面来看，3 奈米制程技术 GAA 架构成功流片后，性能升级还是值得期待。据三星说法，相较 5 奈米制程技术，3 奈米 GAA 架构逻辑芯片面积微缩 35% 以上，功耗也降低 50%，运算效能提高约 30%，可为更多应用提供更强大的运算效能。若三星 3 奈米 GAA 制程技术真的 2024 年才能量产，那时台积电 GAA 架构 2 奈米制程技术也差不多进入量产，三星想超越台积电的愿望恐怕又要成为黄粱一梦了。
（首图来源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)
