就在之前包括三星、SK 海力士等韩国内存大厂开始启用 EUV 曝光设备进行内存的生产之后，现在美商美光科技现在准备也要加入采用 EUV 曝光设备的生产行列了。根据日前美光在财报会议上所说的，目前美光正跟 EUV 曝光大厂 ASML 展开采购谈判工作，预计 2024 年将开始生产采用 EUV 曝光设备所生产内存。
根据美光科技总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 在日前的财报会议上的说法，过去美光一直在关注 EUV 曝光设备用于生产上面的进展，而且实际上之前也参与了 EUV 技术的生产发展。而在观察到 EUV 曝光设备及整个生态系统成熟之后，美光就开始会在产品规划中加入 EUV 曝光设备来进行内存的生产。
而在本次财报会议上，美光也已经在 2021 财年的的资本支出上略微提升到 95 亿美元的金额，其中就是目前已经开始跟 ASML 谈判购买 EUV 曝光设备的计划。不过，现在美光方面还没有公布细节。还有 EUV 曝光设备现阶段的供应吃紧，在晶圆代工大厂台积电、三星方面因为采购的数量较多，使得美光即便已经与 ASML 完成惨购谈判，要正式取得设备则还要等等。
事实上，目前是台湾投资金额最大的外商美光，当前最新的内存生产技术并是不使用 EUV 曝光设备，而是采用上一代深紫外 (DUV) 曝光设备来生产内存。而这对于目前领先全球市占率的韩国三星级 SK 海力士两家内存大厂来说，非常关注美光不使用 EUV 曝光设备成功开发出 10 奈米级的 DRAM。因为 ASML 的 EUV 曝光设备每部造价高达 1.5 亿美元，生产的内存会有较高成本。但美光采用 DUV 曝光设备就能生产同等级内存产品，产品成本较便宜，也较竞争力将更具优势。而根据美光的计划，EUV 曝光设备预计要到 2024 年才会导入，首发将会用于 1-Gama 的 10 奈米级制程内存上，而后面还会进一步扩展到更下一代的 1-Delta 的 10 奈米级内存生产中。
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