为缩小 5G 基地台射频单元尺寸、减轻重量，并提升效能，恩智浦半导体（NXP）7 日宣布将整合氮化镓（GaN）技术至旗下多芯片模组平台；而应用于 5G 基础设施的恩智浦多芯片模组中的氮化镓效能可将效率提高 8%，实现高效能网络。
恩智浦表示，降低能源消耗（Energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要；而在多芯片模组中使用氮化镓可在 2.6GHz 频率下将产品组合效率提高至 52%，比上一代模组高出 8%。透过在单个装置中采用专利组合 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化镓技术，进而提高效能，可提供 400MHz 的瞬时带宽，仅用一个功率放大器即可完成宽频射频设计。
据悉，结合氮化镓的全新 5G 多芯片模组将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量，帮助移动网络营运商降低在蜂窝式基地台和屋顶部署 5G 的成本。不仅如此，在单一封装的模组中，还整合了多级（multi-stage）传输链（transmit chain）、50 欧姆（ohm）输入/输出匹配网络和 Doherty 设计；并使其最新 SiGe 技术添加偏压控制，无需再使用单独的模拟控制 IC，即可对功率放大器效能提供更严密的监控和最佳化。
恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理 Paul Hart 指出，恩智浦开发了专用于 5G 基础设施的独特技术工具箱（toolbox），包括专有的 LDMOS、氮化镓和 SiGe 以及先进封装和射频设计 IP，可能够运用每个元件的优势，并针对每个使用情境以最佳方式将这些优势结合在一起。
（首图来源：恩智浦）
