韩国内存大厂 SK 海力士今日官网宣布，旗下第四代 10 奈米级（1a）制程 8Gigabit（Gb）LPDDR4 行动装置专用 DRAM（动态随机内存）产品已于 7 月初量产。
外媒报导，这是 SK 海力士首次采用极紫外光曝光设备 (EUV) 技术量产 DRAM 产品。SK 海力士预计下半年开始供货智能手机厂商第四代 10 奈米级（1a）制程的行动装置专用 DRAM。
市场调查机构《Strategy Analytics》最新研究报告资料指出，2021 年第一季，全球智能手机 DRAM 市场总销金额售额达 114 亿美元，较 2020 年同期成长 21%。依市占率排名，三星以 49% 排第一，SK 海力士排第二，美商美光位列第三。
不过先前韩国媒体报导，市占排名第三的美光 6 月时就宣布量产第四代 10 奈米级（1a）制程 DRAM，并供货 AMD 和 Acer，是世界第一家量产第四代 10 奈米级制程 DRAM 的公司。
相较韩国两家厂商，目前是台湾投资金额最高的外商美光，最新技术不使用 EUV 曝光设备，而采用上一代深紫外 (DUV) 曝光设备。市场人士强调，因 ASML EUV 曝光设备每部造价高达 1.5 亿美元，内存成本较高。美光采用 DUV 曝光设备就能生产内存，成本竞争力将更具优势。美光量产第四代 10 奈米级制程技术的消息也震撼韩国业界。
面对美光，SK 海力士也投资 2 月落成的 M16 新晶圆厂，预计达 8,000 亿韩圜（约新台币 214 亿元）设置生产设备，包括 EUV 曝光机，年底前达每月量产 1.8 万片 12 吋晶圆。美光也不甘示弱，日前财报会议透露正与 ASML 展开采购谈判，预计 2024 年使用 EUV 曝光设备生产内存。就发展趋势观察，内存大厂的 EUV 技术发展竞争将趋白热化。
(首图来源：SK 海力士)
