根据韩国媒体报导，三星近期在中国上海的一个半导体代工论坛上，公布了该公司在半导体代工业务的路线图。尽管在该路线图中包括 2021 年下半年将推出的第一代 4 奈米芯片的量产计划、2022 年第二代 4 奈米芯片的量产计划，以及 2023 年第二代 3 奈米芯片的量产计划。但是，其中就是未包括了先前三星所宣布的，即将在 2022 年推出的第一代 3 奈米芯片的生产计划，这也引起了市场人士的猜测。
韩国媒体 《BusinessKorea》 的报导指出，针对三星在半导体代工的路线图中，没有公布第一代 3 奈米芯片的生产计划，一些韩国的分析师就指出，三星之所以没有透露其第一代 3 奈米芯片的量产计划，可能是因为三星计划先将 3 奈米制程应用于自己设计的芯片上，然后再将其用于客户的芯片当中。
报导表示，三星先前表示，借由 3 奈米制程技术生产的芯片，相较于 5 奈米制程技术所生产的芯片，在芯片的面积上将缩小 35%，但是其运算效能则是提高了了 15%，而电池能能效则提高了 30%。而相对于三星，全球最大的晶圆代工厂台积电目前也在开发 3 奈米制程技术，目标是 2022 年开始进入量产阶段。
另外，三星预计在 3 奈米制程技术中采用闸极全环（Gate-All-Around，GAA）技术，而非传统的鳍式场效晶体管（FinFET）技术。而借由 GAA 技术能将晶体管栅极和沟道的接触面扩展到四个，在此情况下与现有的 FinFET 技术相比，这种技术借由增加一个边接触面来提高电流的效率。
报导强调，美国电子设计自动化 （EDA） 公司新思科技（Synopsis）在上个月宣布，已经与三星电子合作，成功达成了以 GAA 技术的 3 奈米制程的晶圆流片（Tape Out）程序。晶圆流片是指晶圆设计已完成开发，并将设计移交给制造商的一个阶段。所以，在进入这个阶段之后的三星，有望在验证后开始测试 3 奈米制程技术的生产程序。
（首图来源：Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0）
