Intel火力全开要拼了，扬言2025年要反超台积电！
过去 10 多年以来，Intel 凭借摩尔定律和先进半导体制程持续引领行业的发展，一直处于行业的最高峰。当时 Intel 稳压台积电、Samsung 等一众对手，意气风发。但谁想到自从智能手机掘起后，Intel 的芯片事业反被一众当年被稳压的对手反超前。
对此，Intel 新任 CEO Pat Gelsinger 表示 Intel 需要加速创新的节奏。于是在今年三月宣布了 IDM 2.0 计划，近期又公布了最新的半导体制程和先进封装的路线图，将未来发展的蓝图先绘制出来。
路线图指出 Intel 计划在 2024 年用 Intel 20A 制程将半导体行业带入埃米时代（1 纳米= 10 埃米）。 Pat Gelsinger 认为，Intel 在先进制程和封装技术上的创新将使其在 2024 年在制程性能水平上与同行齐头并进，在2025 年再度超越台积电领先业界。
随后，Intel 也宣布 AWS 将成为第一个使用 Intel 代工服务（IFS）封装解决方案的客户。 Intel 也将与 Qualcomm 合作，共同开启半导体的埃米时代。
目前，Intel 总算抛弃 14nm 正在生产 10nm SuperFin 节点的芯片，10nm 晶圆的数量已经远超同期生产的 14nm 晶圆的数量，但这一代产品的命名将不会改变，毕竟还只是提出，目前尚未确定。不过下一代 Intel 10nm SuperFin 节点原名 Enhaned SuperFin 现在更名为 Intel 7，Intel 7 之后是 Intel 4 和 Intel 3 的下一代，将被称为 Intel 20A。
值得注意的是，Intel 4 是 Intel 首个完全采用极紫外光刻（EUV）技术的制程节点，面向客户端的M eteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids 都将基于 Intel 4，于 2022 年下半年投产，2023 年出货。EUV 采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将 13.5nm 波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相对于之前使用波长为 193nm 的光源的技术，这是巨大的进步。
如此巨大的进步势必将对台积电造成威胁，目前台积电就是靠与ASML 的良好合作关系和最前端的EUV 光刻技术领跑全球，Intel 如果使用了更好的EUV 光刻机器，台积电的优势将微乎其微。
总的来说，Intel 重回“霸主”的野心已重燃。计划 2023 年将赶上台积电，并于 2025 年及以后将反超台积电。当然，台积电也不是站动不动的巨人，两者竞赛只会持续下去。你又比较看好谁呢？
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