TrendForce 表示，2021 年各国 5G 通讯、 消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使基地台、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，第三代半导体氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）元件及模组需求强劲。氮化镓功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达 8,300 万美元，年增率高达 73%。
据TrendForce研究，氮化镓功率元件主要应用大宗为消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源汽车20%、通讯及资料中心15%。据TrendForce调查，截至目前有10家手机OEM厂商陆续推出18款以上搭载快充的手机，且笔电厂商也有意跟进。
全球SiC功率市场规模至2025年将达33.9亿美元，年复合成长率达38%，前三大应用占比将分别为新能源车61%、太阳能发电及储能13%、充电桩9%，新能源车产业又以主驱逆变器、车载充电机（OBC）、直流变压器（DC-DC）为应用大宗。
关键基板多数仍由欧美日IDM大厂掌握
TrendForce指出，因第三代半导体氮化镓及碳化硅基板（Substrate）材料生长条件相对困难，现行主流尺寸大致落于6吋并往8吋迈进，驱使价格相较传统8吋、12吋硅基板高5~20倍不等。由于多数材料集中美国科锐（Cree）及贰陆（II-VI）、日本罗姆（Rohm）及欧洲意法半导体（STMicroelectronics）等IDM大厂；部分中系业者如山东天岳（SICC）及天科合达（Tankeblue）等在中国十四五政策支撑下相继投入，以加速国产化自给自足目标。
台湾第三代半导体发展进程方面，尽管欧、美、日等地发展较早且制作工艺较成熟，但TrendForce认为台湾相对处在有利位置。台湾本身具备长期硅（Si）开发经验，并拥有完整上、下游供应链，加上近期在地化材料、设计与技术等政策牵引等优势，驱动台湾目标成为半导体先进制造中心，使前段基板及磊晶产业链逐步成形，以及中后段芯片设计、制造及封测亦为主力项目。
目前汉民集团嘉晶（EPI）、汉磊科（EPISIL）与中美晶集团环球晶（GW）、宏捷科（AWSC）、兆远（CWT）、朋程（ATC）等两大联盟，透过合作策略希冀在稀少基板区块发挥最大整合效益；此外，广运集团与太阳能厂太极（TAINERGY）共同投资的盛新材料（TAISIC），除了目前送样验证的4吋碳化硅基板，也积极投入6吋碳化硅基板研发。
（首图来源：shutterstock）
