瞄准第三代半导体市场，是德科技携手中央大学光电科学研究中心 （National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了 GaN、SiC 应用研发及测试验证之效率，并加速 5G 基建及电动车创新之步伐。
是德科技表示，新兴宽能隙材料（WBG）的出现，例如氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）等，以其高切换速度、低导通损耗以及更高的耐温及承受电压等特性，逐渐导入电源相关之消费性产品、快充、电动车及轨道交通、5G 基建、资料中心服务器等应用，产品比过往精巧且效能更高。
然而，相比传统硅基的 MOSFET 或 IGBT，宽能硅材料带来的种种优势也同时增加了其设计及测试难度，比如更为复杂的驱动设计，更快的开关速度带来的振荡以及电磁相容问题等。同时，如何于更高的频率执行高精确度及重复性之动态测试以及实现更接近于真实情况的器件建模和电力电子模拟都是当前极具挑战之课题。
国立中央大学光电科学研究中心（NCUOSC）导入了 Keysight PD1500A 动态功率元件分析/双脉冲测试平台，成功建置首屈一指的第三代宽能隙半导体研发能量并提高了测试验证效率。随着 JEDEC 持续定义 WBG 元件的动态测试，某些标准化测试开始出现，Keysight PD1500A DPT 确定了这些关键效能参数，例如开关及切换特性、动态导通电阻、动态电流及电压、反向恢复、闸极电荷、输出特性等。
是德科技汽车与能源解决方案事业群副总裁暨总经理 Thomas Goetzl 表示，是德科技与中央大学展开长期合作能帮助研究团队得以在 WBG 新一代半导体科技上继续前进，洞察细节，高度集成及部署，并加速创新。而可靠且可重复的量测方案对于新技术开发（包括宽能隙半导体）的设计和验证至关重要，目前是德科技的 PD1500A DPT 具备多项智慧化功能，例如基于 IEC 和 JEDEC 标准的全自动参数提取软件、循环测试、电压和电流扫描测试以及自动高温测试等，可让测试更为快捷便利，帮助推动未来的创新。
（首图来源：科技新报摄)
