韩国媒体《BusinessKorea》报导，半导体大厂三星正加紧准备 2022 年开始的平泽新半导体工厂大规模投资。三星大规模投资的目的，除了在内存逢大周期时扩大与竞争对手的差距，晶圆代工也要追上台积电。
三星计划先在建设中平泽 3 号工厂 (P3) 建立 NAND Flash 闪存生产线，然后再建立 DRAM 生产线和 3 奈米制程代工产线。三星正与国内外材料、零组件、设备合作伙伴洽谈，P3 工厂扩建后，三星将增设一条第七代 176 层堆叠 NAND Flash 闪存生产线，每月生产 40K~50K 的 12 吋晶圆，并 2022 年 4 月左右开始引进设备。
市场分析师表示，先安装 NAND Flash 闪存生产线的原因，是为了扩大与追随者的技术差距，因为 NAND Flash 闪存市场竞争加剧，据市场人士说法，中国努力发展半导体产业，威腾电子可能收购日本内存大厂铠侠，美光科技也量产 176 层堆叠 NAND Flash，市场竞争逐渐升温。
关于 P3 工厂加码投资，三星还订定 2022 下半年建设 DRAM 和 3 奈米代工产线计划。市场人士预计，因应 DDR5 规格的 DRAM 时代到来，三星将打造 14 奈米制程 EUV DRAM 生产线。三星建立 3 奈米制程代工产线方面，未来每月可量产 10K~20K 的 12 吋晶圆。
三星电子预计 2022 年将在华城和 P3 工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。据三星计划，投资 DRAM 和晶圆代工产线后，韩国半导体产能将增加至每月 150K 晶圆，相当于三星 DRAM 厂华城 17 工厂产能。
(首图来源：三星)
