韩国内存大厂三星 12 日宣布，正式量产以极紫外（EUV）曝光技术生产 14 奈米制程 DRAM。这是三星继 2020 年 3 月出货首款采 EUV 曝光技术的 DRAM 后，藉 EUV 曝光层数增加至 5 层，为 DDR5 规格 DRAM 提供更优质解决方案。
韩国媒体报导，三星高层表示，透过发展关键图像化技术，三星近 3 年持续领导全球 DRAM 市场，正透过建立多层 EUV 曝光技术，达成技术里程碑，使 DRAM 在 14 奈米制程极致化，传统 ArF 制程技术无法达到。在此基础上，三星将继续为 5G、AI 和虚拟世界需要更高性能和更大容量的资料提供效能，具备差异化内存解决方案。
三星 14 奈米制程 DRAM 添加 5 层 EUV 曝光技术，达成超高单位密度的产品生产目标，同时将整体晶圆的生产率提高约 20%。与上一代 DRAM 相比，14 奈米制程 DRAM 有助降低近 20% 功耗。据最新 DDR5 标准，三星 14 奈米制程 DRAM 可有 7.2Gbps 超高传输速度，是前代 DDR4 最高传输速度 3.2Gbps 两倍多。
三星计划扩展 14 奈米制程的 DDR5 DRAM 产品组合，支援资料中心、超级电脑和企业服务器应用。三星预计 14 奈米制程 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以满足全球 IT 系统快速成长数据的需求。
(首图来源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)
