上周三星宣布 2022 上半年开始量产 3 奈米制程，以抗衡代工龙头台积电。宣布后韩国媒体纷纷关注，面对三星积极准备，台积电将在 14 日法说会如何回应。
韩国媒体《BusinessKorea》报导，三星日前在代工论坛 (Samsung Foundry Forum) 宣布，将在 2022 上半年开始使用新一代全环绕栅极 (GAA) 技术为客户生产 3 奈米 3GAP 制程芯片，还将在 2023 年量产第二代 3 奈米 3GAP 制程芯片，并在 2025 年量产 2 奈米 2GAP 制程芯片。
三星强调，使用 GAA 技术生产 3 奈米芯片，提高芯片晶体管性能和效率，对芯片先进制程发展至关重要，不但提高电源效率、芯片性能，更提升芯片设计灵活性。相较鳍式场效应晶体管 (FinFET) 技术 5 奈米制程芯片，三星首个 3 奈米 GAA 技术制程节点芯片性能可提升 30%，或同样效能下功耗降低 50%，芯片面积减少 35%。
相对三星 2022 年开始生产 3 奈米 GAA 技术芯片，台积电 3 奈米制程仍沿用 FinFET 技术。之后预计 2 奈米制程才导入 GAA 技术。先前有媒体报导，三星希望 3 奈米制程节点就导入 GAA 技术，因希望采用新一代技术吸引客户，挑战台积电市占率。
除了期望制程技术领先，三星也希望新制程技术推出时间先于台积电。台积电预计 2022 年 7 月才会应用 3 奈米制程于 CPU 及 GPU 生产，三星预计 2022 上半年就推出 3 奈米制程，这样三星就是全球第一个生产 3 奈米制程的厂商。三星会抢在台积电前推出 3 奈米制程，是因台积电市占率领先三星扩大不少。
市场研究及调查机构 Trendforce 数据显示，2021 年第二季台积电市占率为 52.9%，领先三星 17.3% 超过 3 倍。另一家市调机构 Counterpoint Research 资料也显示，台积电市占达 55%，三星 17%。未达三星 2030 年前成为非内存系统半导体龙头目标，晶圆代工必需与台积电一拼天下。对三星步步逼进，韩国专家指出，以目前台积电与三星都有生产的 5 奈米芯片来说，台积电良率与性能仍旧占上风。
(首图来源：Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)
