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三星领先台积电推出 3 奈米制程,韩媒关注台积电 10/14 法说会回应

2025-03-18 227


上周三星宣布 2022 上半年开始量产 3 奈米制程,以抗衡代工龙头台积电。宣布后韩国媒体纷纷关注,面对三星积极准备,台积电将在 14 日法说会如何回应。

韩国媒体《BusinessKorea》报导,三星日前在代工论坛 (Samsung Foundry Forum) 宣布,将在 2022 上半年开始使用新一代全环绕栅极 (GAA) 技术为客户生产 3 奈米 3GAP 制程芯片,还将在 2023 年量产第二代 3 奈米 3GAP 制程芯片,并在 2025 年量产 2 奈米 2GAP 制程芯片。

三星强调,使用 GAA 技术生产 3 奈米芯片,提高芯片晶体管性能和效率,对芯片先进制程发展至关重要,不但提高电源效率、芯片性能,更提升芯片设计灵活性。相较鳍式场效应晶体管 (FinFET) 技术 5 奈米制程芯片,三星首个 3 奈米 GAA 技术制程节点芯片性能可提升 30%,或同样效能下功耗降低 50%,芯片面积减少 35%。

相对三星 2022 年开始生产 3 奈米 GAA 技术芯片,台积电 3 奈米制程仍沿用 FinFET 技术。之后预计 2 奈米制程才导入 GAA 技术。先前有媒体报导,三星希望 3 奈米制程节点就导入 GAA 技术,因希望采用新一代技术吸引客户,挑战台积电市占率。

除了期望制程技术领先,三星也希望新制程技术推出时间先于台积电。台积电预计 2022 年 7 月才会应用 3 奈米制程于 CPU 及 GPU 生产,三星预计 2022 上半年就推出 3 奈米制程,这样三星就是全球第一个生产 3 奈米制程的厂商。三星会抢在台积电前推出 3 奈米制程,是因台积电市占率领先三星扩大不少。

市场研究及调查机构 Trendforce 数据显示,2021 年第二季台积电市占率为 52.9%,领先三星 17.3% 超过 3 倍。另一家市调机构 Counterpoint Research 资料也显示,台积电市占达 55%,三星 17%。未达三星 2030 年前成为非内存系统半导体龙头目标,晶圆代工必需与台积电一拼天下。对三星步步逼进,韩国专家指出,以目前台积电与三星都有生产的 5 奈米芯片来说,台积电良率与性能仍旧占上风。

(首图来源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)

2021-10-13 05:56:00

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