半导体制程技术进入 10 奈米节点后，EUV 曝光设备是不可或缺的步骤，但 EUV 曝光设备每台价格高达 1.5 亿美元，且产量有限，让芯片生产成本骤升。为解决问题，日本内存大厂铠侠（Kioxia）联合合作伙伴开发新技术，可不使用 EUV 曝光设备就直达 5 奈米。
日本媒体报导，铠侠从 2017 年开始与半导体设备厂佳能及光罩、范本等半导体零组件制造商 DNP 合作，在三重县四日市铠侠工厂研发奈米压印微影 (NIL) 量产技术。铠侠已掌握 15 奈米量产技术，目前正在进行 15 奈米以下研发，预计 2025 年达成。
相较已商用化的 EUV 技术半导体制程，铠侠表示 NIL 技术减少耗能，且大幅降低设备成本。原因在 NIL 技术微影制程较单纯，耗电量可压低至 EUV 技术 10%，并让设备投资降至仅 EUV 设备 40%。EUV 曝光设备由荷兰商 ASML 独家生产，不但价格高昂，且需许多检测设备配合。虽然 NIL 技术有许多优点，但现阶段量产仍有不少问题有待解决，包括更容易因灰尘造成瑕疵。
对铠侠来说，NAND 零组件因采取 3D 立体堆叠结构，更适应 NIL 技术制程。铠侠也表示，已解决 NIL 基本技术问题，正在最佳化量产技术，希望较其他竞争对手率先导入 NAND 生产。若铠侠成功引进 NIL 技术，可望弥补投资设备竞赛的不利局面，又符合减少碳排放的需求。
据 DNP 说法，NIL 量产技术电路微缩程度可达 5 奈米节点，DNP 从 2021 年春天开始就据设备规格值模拟。DNP 透露，半导体制造商对 NIL 量产技术询问度增加，显示不少厂商寄予厚望。另一个合作伙伴佳能致力将 NIL 量产技术广泛用于制作 DRAM 及 PC 用 CPU 等逻辑芯片设备，供应更多半导体制造商，将来也希望用于手机应用处理器等最先进制程。
（首图来源：Unsplash)
