外媒报导，半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备 (EUV) 厂商艾司摩尔 (ASML)，几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴，尤其 10 奈米以下先进制程，没有 EUV 协助几乎不能做。ASML 如何爬上龙头之位，有两个关键转捩点。
20 年前 ASML 只是名不见经传的小企业，和日本 Nikon、Canon 相较只能算小型公司。让 ASML 一举成为国际大公司，并甩开与竞争对手的差距，两个转捩点至关重要，之一发生在 2004 年。
2004 年全球半导体业界的曝光设备光源都是 193 奈米，且是干刻法。要往新一代制程发展时，须提升光源到 157 奈米，才能提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示，光源还可以继续用 193 奈米，但换个介质试试，不再以空气当介质。于是 ASML 尝试以水为介质，光源通过水会产生折射，使 193 奈米光源实际效果可能比 157 奈米好。
对台积电的建议，Nikon、Canon 都觉得不实际，不如直接研究 157 奈米光源的曝光设备。小企业的 ASML 觉得自己规模没有竞争对手大，不如跟台积电一起尝试，成功当然很好，失败了也没太大损失。这次尝试让 ASML 真的开发出新产品，水介质的浸润式曝光设备也一举爆红。新设备除了成功把半导体生产精准度更提高，且成本低、研发速度快，ASML 短短 5 年就拿下全球过半市场，Nikon、Canon 想跟进时已来不及。
第二次 ASML 大幅成长的机会则是 2015 年，水介质浸润式曝光设备发展到极限，接下来研究方向以波长 13.5 奈米的极紫外光 EUV 曝光设备为主。这时英特尔领头，成立组织 EUV LLC，以研究 EUV 曝光设备为目标。加入 EUV LLC 的 ASML 觉得，一旦研发出先进 EUV 曝光设备，可能会被美国提防，于是决定让出公司股份，让英特尔、台积电、三星等半导体制造大厂成为股东。
证实 ASML 决定不仅消除美国顾虑，还赢得盟友，还因合作得到许多技术支援，顺利推出 EUV 曝光设备，还不愁没有地方卖，每家半导体制造商都抢着要。这关键一脚使 ASML EUV 曝光设备一家独大，完全垄断市场。
(首图来源：ASML)
