追赶三星，全球第二大 NAND 型闪存（Flash Memory）厂铠侠（Kioxia，旧称东芝内存）传出将在明春动工兴建 NAND 新厂，总投资额达 2 兆日圆，且该新厂将成为铠侠旗下最大规模厂房。
日刊工业新闻10日报导，铠侠计划在NAND Flash生产据点“北上工厂”（岩手县北上市）兴建的第二厂房（K2）将在2022年春天动工，预计2023年启用生产，且K2厂房规模将达在2020年上半年开始进行生产的第一厂房（K1）2倍，将成为铠侠旗下最大规模的厂房，期望借此追赶全球龙头厂三星电子。
据报导，K2所需的生产设备主要将从四日市工厂（三重县四日市）转移过来，包含补充四日市工厂设备的费用计算，总投资额将达2兆日圆。为了加强先进半导体的生产，日本-已编列6,170亿日圆资金，而预估K2有可能将成为日本-补助的对象。
报导指出，因近来半导体市场呈现前所未见的活络，导致半导体制造设备、材料交期拉长，加上中国厂商因预估美中对立将加剧、囤货动向猖獗，导致短缺情况更加严重。另外，因除了铠侠之外，台湾台积电、美国美光（Micron）也计划在日本兴建新工厂，因此设备、材料短缺恐对今后的建厂计划造成影响。
铠侠11月12日公布上季（2021年7~9月）财报：因NAND Flash市场供需均衡环境持续稳定，售价扬升，带动合并营收较去年同期大增22%至4,005亿日圆、季度别营收创下历史新高纪录；显示本业获利情况的合并营益暴增294%至780亿日圆、连续第二季呈现盈余；显示最终获利情况的合并纯益狂飙459%至447亿日圆、连续第二季呈现盈余。
铠侠指出，上季NAND Flash出货量（以记忆容量换算）较前一季（2021年4~6月）增加16%~19%；售价扬升约5%，为连续第二季呈现扬升。
关于市场动向及今后展望，铠侠指出，资料中心SSD需求预估将持续强劲，智能手机用需求预估中长期将持续成长，NAND市场中长期呈现成长趋势的市场见解目前未发生太大变化。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：铠侠）
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