为推动尖端半导体微影技术发展，微影技术与曝光机大厂艾司摩尔 (ASML) 与处理器龙头英特尔于台北时间 19 日晚间宣布长远合作的最新发展，为双方长远高数值孔径合作案的框架内容，英特尔已向 ASML 下订业界首部 TWINSCAN EXE:5200 系统订单。这款具备 High-NA 极紫外光（EUV）大量生产系统，每小时有 200 片以上晶圆产能。
ASML 技术长 Martin van den Brink 表示，英特尔的远见和对 ASML High-NA EUV 的早期承诺，为不断追求摩尔定律的绝佳佐证。相较目前 EUV 系统，我们持续创新拓展 EUV 路线图，进一步降低复杂性、成本、周期时间和能量，提供驱动芯片产业下个 10 年的良好经济规模延展性。
英特尔去年 7 月 Accelarated 活动宣布，部署首款 High-NA 技术计划，确立晶体管创新路线图发展。英特尔早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系统首位买家，透过今日宣布的新订购案，合作关系将随英特尔 2025 年开始以高数值孔径 EUV 生产制造延续。
英特尔执行副总裁暨技术开发事业部总经理 Ann Kelleher 也指出，“英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位，2021年英特尔持续打造 EUV 专业知识和能力。透过与 ASML 密切合作，英特尔将汲取 High-NA EUV 高阶析度图案化优势，为延续摩尔定律方式之一，并将追寻晶体管微缩的优良传统延续下去。”
ASML 最新 EXE 平台为 EUV 技术的演化步骤，含新颖光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系统与之前 EUV 机器的 0.33 数值孔径镜片相比，提供精确度提升的 0.55 数值孔径，为更小晶体管特征提供更高的分辨率图案化。系统数值孔径结合使用波长，决定最小能印制的特征尺寸。
EUV 0.55 NA 为 2025 年开始的多个未来节点设计，同时也是业界首次部署技术，随之而来的将是具备相近密度的内存技术。2021 年投资者关系日，ASML 分享 EUV 蓝图规划，并表示 High-NA 技术有望自 2025 开始支援生产制造，因此当前的声明与蓝图规划一致。
(首图来源：英特尔)
