台积电研发超预期，3nmN3E制程将提前投产，密度提升60%

2024-11-27 232

台湾积体电路制造股份有限公司又称为台积电。据 techpowerup 的报导，内容是台积电正在开发一个 3nm 的工艺制程，其中包括了 N3、N3B 和 N3E 多个节点。根据我们的了解，台积电原本是计划在 2022下半年只量产 N3 节点的， N3E 量产的计划打算 2023年下半年才开始进行。但由于作为 3nm 简化版的 N3E 节点，量产率较高，台积电希望早日商业化，可能提前到2023年上半年。

经过一系列的进展 N3E 的工艺流程也已经提前准备好了，很大的概率在这个月底就会确定下来。根据可靠消息， N3E 在 N3 基础上减少了 EUV 光罩层数，从 25层减少到 21层，逻辑密度低了8%，不过仍比 5nm 的 N5 制程节点要高出 60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。

相比之下，据说 N3 的逻辑密度会比 N5 高 70%。还有 N3B，据说是针对某些客户的 N3 的特别改进的定制版本，不过我们目前对 N3B 节点这方面了解的不多。但是无论 N3E 还是 N3B，都不能用于取代 N3，只不过是让客户有更多的选择而已，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。具体还是得看个人来选择。